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Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, by Leonhard Stiny

By Leonhard Stiny

Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Beim Entwurf elektronischer Schaltungen sind gründliche Kenntnisse über eingesetzte Bauelemente erforderlich, um sowohl technisch als auch wirtschaftlich beste Lösungen zu finden und fehlerfreie Produkte zu realisieren. Als foundation werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halbleitertechnik vermittelt. Für alle Halbleiter-Bauelemente werden Aufbau, Wirkungsweise, Kenngrößen, Eigenschaften und Charakteristiken erläutert. Mögliche Anwendungen werden unter Bezug auf die Praxis aufgezeigt. Das Buch kann im Studium, in der Lehre sowie als Nachschlagewerk in der Praxis verwendet werden.

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25 ist h jeweils das Planck’sche Wirkungsquantum. Die Größen mn und mp sind die durchschnittlichen effektiven Massen der Elektronen im Leitungsband und der Löcher im Valenzband des betrachteten Halbleitermaterials. Durch diese durchschnittlichen effektiven Massen ist die gesamte Wechselwirkung der Ladungsträger mit dem Kristallgitter berücksichtigt. Ein Elektron wird als frei bezeichnet, wenn es an keiner Bindung beteiligt und damit frei beweglich ist. Die Ruhemasse des freien Elektrons beträgt me D 9;109 389 7 10 31 kg.

Metalle sind deshalb sehr gute Leiter. 2 Elektronenpaarbindung, Kristallgitter Bei Atomen mit weniger als acht Valenzelektronen besteht Neigung zur Reaktion (Verbindung) mit anderen Atomen. Eine der wichtigsten Bindungsarten ist die Elektronenpaarbindung (Atombindung, kovalente Bindung), welche man sich modellhaft wie folgt vorstellen kann. Zwei Atome (desselben Elements oder auch unterschiedlicher Elemente) ordnen sich so an, dass ein Elektronenpaar, bestehend aus je einem Elektron beider Atome, wechselweise das eine bzw.

27) Ln;p D Dn;p n;p Dn;p D Diffusionskonstante der Elektronen, Löcher. Anmerkung Ein Strom in einem Halbleiter aufgrund eines elektrischen Feldes (einer angelegten Spannung) wird Driftstrom oder Feldstrom genannt. Ist die Ursache für den Strom eine ortsabhängige Konzentration der Ladungsträger, so wird der Strom als Diffusionsstrom bezeichnet. 3 Beweglichkeit Die Driftbeweglichkeit n;p der Elektronen- und Löcher ist temperaturabhängig. Die Beweglichkeit p der Löcher ist kleiner als die Beweglichkeit n der Elektronen.

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